| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP100P06PLG-VB |
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MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
25+ |
48000 |
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| 2SJ377-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| IRLL2705TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT223 |
25+ |
48000 |
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| STD30PF03LT4-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| IRLL014NTRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT223 |
25+ |
48000 |
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| 50P06-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
25+ |
48000 |
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| TPC8107-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| FQU30N06L-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO251 |
25+ |
48000 |
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| AO4413-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| SI6435ADQ-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TSSOP8 |
25+ |
48000 |
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| AP4435GM-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| SI4688DY-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| NTMS10P02R2G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| IRF7306TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| G2306A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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| AO8801-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TSSOP8 |
25+ |
48000 |
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| AP4565GM-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| STS7PF30L-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP-8 |
25+ |
48000 |
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| FTD2017-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TSSOP8 |
25+ |
48000 |
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| AO3434A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
25+ |
48000 |
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