| 型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS123W-7-F-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT-323 |
26+ |
10000 |
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| IRFP4668PBF-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO247 |
26+ |
48000 |
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| NCEP40T11G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
DFN8(5X6) |
26+ |
48000 |
|||
| CSD18531Q5A-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
DFN8(5X6) |
26+ |
48000 |
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| STD13NM60N-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
26+ |
1000 |
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| QN3109M6N-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
DFN8(5X6) |
26+ |
48000 |
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| STB6NK90ZT4-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO263 |
26+ |
1000 |
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| IRLMS1503TRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-6 |
26+ |
48000 |
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| IRLR3114ZTRPBF-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
26+ |
48000 |
|||
| NCE4012S-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
26+ |
48000 |
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| FDC6327C-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-6 |
26+ |
48000 |
|||
| IRF3205-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO220 |
26+ |
48000 |
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| AOD484-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
26+ |
48000 |
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| FDS6612A-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOP8 |
26+ |
48000 |
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| BVSS138LT1G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
26+ |
48000 |
|||
| PMV100EPA-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SOT23-3 |
26+ |
48000 |
|||
| BSC0702LS-VB |
|
MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
DFN8(5X6) |
26+ |
48000 |
||
| NVD5C684NLT4G-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
TO252 |
26+ |
48000 |
|||
| SIS434DN-T1-GE3-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
DFN8(3X3) |
26+ |
48000 |
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| 2SK3018T106-VB | MOS(场效应管) |
VBSEMI/微碧半导体 |
SC70-3 |
26+ |
48000 |
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