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### BSC085N025S G-VB MOSFET 产品简介

BSC085N025S G-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在DFN8(5x6)外壳中。该MOSFET 设计用于需要高电流处理和高效能的应用场合。其最大漏极-源极电压（VDS）为30V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，适合于各种电源管理和开关应用。BSC085N025S G-VB 的阈值电压（Vth）为1.7V，保证在低栅极电压下能够可靠地启动。其导通电阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V 时为9mΩ，在VGS = 10V 时为7mΩ，提供了优异的功率效率和低功耗。该MOSFET 的连续漏极电流（ID）高达80A，适合处理较大的电流负荷。BSC085N025S G-VB 采用先进的沟槽技术，优化了其开关性能和整体能效。

### BSC085N025S G-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型:** DFN8(5x6)

- **配置:** 单N通道

- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 30V

- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V

- **阈值电压 (Vth):** 1.7V

- **导通电阻 (RDS(ON)):**

  - VGS = 4.5V 时为 9mΩ

  - VGS = 10V 时为 7mΩ

- **连续漏极电流 (ID):** 80A

- **技术:** 沟槽技术

BSC085N025S G-VB.pdf

### BSC085N025S G-VB MOSFET 的应用领域

BSC085N025S G-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域中具有出色的应用表现。例如，在电源管理系统中，这款MOSFET 可用于高效能的电源开关和电源调节模块，以处理大电流负荷并减少功耗。在电动汽车领域，它适合用于电机控制系统和电池管理模块，提供高效、稳定的电流供应。在工业应用中，BSC085N025S G-VB 可应用于高功率电机驱动器和电源转换设备，因其低导通电阻能够显著降低能量损耗。此外，该MOSFET 也适合用于高效能LED驱动器和其他高功率电子设备，提高设备的整体性能和能效。