BUK6510-75C-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
### 一、BUK6510-75C-VB 产品简介
BUK6510-75C-VB 是 NXP Semiconductors 生产的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-220。这款 MOSFET 基于先进的 Trench 技术设计，具有 80V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。其在 4.5V 的栅源电压下，导通电阻为 9mΩ，在 10V 的栅源电压下进一步降低至 7mΩ。BUK6510-75C-VB 具备高达 100A 的连续漏极电流 (ID)，使其在高电流和低导通损耗的应用场景中表现优异，非常适合用于高效开关、功率转换及电源管理系统。
### 二、BUK6510-75C-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | BUK6510-75C-VB | |
| 封装 | TO-220 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 80 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 7 (VGS = 10V) | mΩ |
| 栅极电流 (IG) | 100 | nA |
| 连续漏极电流 (ID) | 100 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 200 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 125 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |
### 三、应用领域和模块示例
BUK6510-75C-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域具有显著优势，以下是几个具体的应用示例：
1. **高功率电源管理**：在开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中，BUK6510-75C-VB 能够作为高效的开关元件，降低导通电阻，提升电源转换效率，减少能量损耗。
2. **工业电动机控制**：由于其高电流承载能力，这款 MOSFET 适用于电动汽车、电动工具及工业电动机驱动系统中，可以实现高效的电机控制和精确的调速。
3. **功率转换应用**：在高功率逆变器和功率转换器中，BUK6510-75C-VB 可以处理大电流负载，确保系统的稳定性和可靠性，广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中。
4. **电池管理系统**：在电池管理系统 (BMS) 中，该 MOSFET 可用于处理高电流负载，提供过流保护和电池开关功能，提高系统的安全性和性能。
这些应用示例展示了 BUK6510-75C-VB 在需要高电流处理、低导通损耗和高效开关的场景中的关键作用。
