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BSC037N025S G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
**产品简介：**
BSC037N025S G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)，专为低电压、大电流应用设计。该 MOSFET 的 VDS（漏极-源极最大电压）为 30V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 高达 160A。其 RDS(ON) 为 2.5mΩ（在 VGS=4.5V 时）和 1.8mΩ（在 VGS=10V 时），采用沟槽型工艺技术，具有极低的导通电阻，适用于要求高性能和高效率的开关电路。
**详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(5x6)
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 30V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V；1.8mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 160A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **高效电源转换**：在高效 DC-DC 转换器和电源管理系统中，BSC037N025S G-VB 的低 RDS(ON) 能有效减少能量损失，提高系统整体效率，适合用于需要高电流的电源设计。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中，该 MOSFET 能处理大电流负载，确保电动汽车系统的可靠性和高效能。
3. **工业电机控制**：用于工业电机驱动和负载开关系统中，BSC037N025S G-VB 能够支持高电流操作，适用于高功率和高可靠性的工业应用。
