BSZ130N03MS G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### BSZ130N03MS G-VB 产品简介
**产品简介：**
BSZ130N03MS G-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用DFN8 (3x3) 封装。其最大漏极电压（VDS）为30V，栅极电压（VGS）最大为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V。此MOSFET具有低导通电阻（RDS(ON)），在栅极电压为4.5V时为19mΩ，在栅极电压为10V时为13mΩ。其最大连续漏极电流（ID）为30A，采用先进的沟槽技术（Trench）制造，确保高效能和可靠性。
### BSZ130N03MS G-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|----------------|----------------------------|
| **封装类型** | DFN8 (3x3) |
| **配置** | 单N沟道 |
| **最大漏极电压（VDS）** | 30V |
| **最大栅极电压（VGS）** | ±20V |
| **阈值电压（Vth）** | 1.7V |
| **导通电阻（RDS(ON)）** | 19mΩ @ VGS=4.5V；13mΩ @ VGS=10V |
| **最大连续漏极电流（ID）** | 30A |
| **技术** | 沟槽（Trench） |
### BSZ130N03MS G-VB 适用领域和模块
**电源转换器：** BSZ130N03MS G-VB 适用于电源转换器模块，如DC-DC转换器和开关电源。其较低的导通电阻和较高的电流处理能力使其在这些应用中能够高效地进行能量转换，同时保持良好的热性能和稳定性。
**电池管理系统：** 在电池管理系统中，这款MOSFET可以用于过流保护和负载开关。其低阈值电压和低导通电阻有助于提高系统的能效，并延长电池的使用寿命。
**汽车电子：** BSZ130N03MS G-VB 在汽车电子应用中也表现出色，例如在车身控制模块和动力系统中。其高电流处理能力和低导通电阻满足了汽车电子对高可靠性和稳定性的要求。
**电机控制：** 在电机控制系统中，BSZ130N03MS G-VB 能够有效地驱动各种电机，包括步进电机和直流电机。其优异的开关性能和高电流能力使其在电机驱动中能够提供精确的控制和高效的功率传输。
**LED驱动：** 该MOSFET也适用于LED驱动模块。在高功率LED应用中，它的低导通电阻和优秀的热性能可以确保LED灯具的稳定工作，并提高整体照明系统的能效。
综上所述，BSZ130N03MS G-VB 是一款性能优异、应用广泛的MOSFET，适用于电源管理、电池保护、汽车电子、电机控制和LED驱动等多个领域，能够满足各种高性能需求。
