AP1203GMT-HF-VB一种DFN8(5X6)封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### AP1203GMT-HF-VB 产品简介
AP1203GMT-HF-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装。该器件适用于低压高功率应用,具备30V的漏源电压(VDS)和高达80A的连续漏电流(ID)。其栅源电压(VGS)额定值为±20V,开启电压(Vth)为1.7V,导通电阻(RDS(ON))在栅源电压为4.5V时为9mΩ,在10V时为7mΩ。采用了沟槽技术(Trench),提供了卓越的导通特性和高功率处理能力。
### AP1203GMT-HF-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|----------------|--------------------|
| **型号** | AP1203GMT-HF-VB |
| **封装类型** | DFN8(5X6) |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏源电压 (VDS)** | 30V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **开启电压 (Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 9mΩ @ VGS=4.5V |
| | 7mΩ @ VGS=10V |
| **连续漏电流 (ID)** | 80A |
| **技术** | 沟槽技术 (Trench) |
### 应用领域和模块示例
1. **电动工具**:在高功率电动工具中,如电动锂电钻和电动锤等,AP1203GMT-HF-VB 可以作为主要的功率开关元件,支持高频率开关和大电流传输。
2. **电动车辆**:在电动车辆的电池管理系统和电机控制器中,这款MOSFET可以用于电池充放电控制和电动马达的高效驱动。
3. **服务器和数据中心**:在服务器和大型数据中心的电源管理单元中,AP1203GMT-HF-VB 可以用作高效率DC-DC变换器的关键开关元件,确保电能转换的高效性和稳定性。
4. **工业电子设备**:在需要高功率密度和高效能的工业电子设备中,如变频器、电源逆变器和工业自动化系统中的电源开关和控制电路中,这款MOSFET可以提供可靠的性能。
5. **电源逆变器**:在太阳能和风能发电系统中的电源逆变器设计中,AP1203GMT-HF-VB 可以用作关键的电流控制开关,支持电能的高效转换和能量管理。
AP1203GMT-HF-VB 的高性能和高功率处理能力使其成为各种高功率、高频率应用的理想选择,特别适用于要求高效率、高稳定性和长寿命的电子设备和系统。