SPP6507S26RGB-VB一款2个P沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析
2024-02-22
型号: SPP6507S26RGB-VB
丝印: VB4290
品牌: VBsemi
参数: 2个P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V); -1.2~-2.2Vth (V)
封装: SOT23-6
详细参数说明和应用简介：
1. 沟道类型：2个P沟道
- 这表示这是一对P沟道MOSFET，P沟道MOSFET通常用于电源开关和功率管理应用，其中需要控制正电压电源。
2. 额定电压 (VDS)：-20V
- 这是沟道MOSFET能够承受的最大负电压，表示它适用于需要处理负电压的电路。
3. 额定电流 (ID)：-4A
- 这是沟道MOSFET的额定电流，表示它可以处理的最大负电流负载。
4. 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))：
- RDS(ON)是沟道MOSFET的导通状态下的电阻。在4.5V的情况下，它的电阻为75mΩ，而在2.5V的情况下为100mΩ。这表明在导通状态下，它的电阻相对低，能够有效地减小功耗和热量。
5. 栅源电压额定值 (Vgs)：12V (±V)
- 这表示栅源电压的额定范围为正负12V。栅源电压用来控制MOSFET的导通和截止状态。
6. 阈值电压范围 (Vth)：-1.2V 至 -2.2V
- 这是沟道MOSFET的阈值电压范围，表示需要应用在栅极上的电压，以使器件开始导通。在这种情况下，阈值电压范围为-1.2V至-2.2V。
应用简介：
这种型号的P沟道MOSFET通常用于各种电源管理和开关应用，包括但不限于以下领域和模块：
1. 电源开关：这种MOSFET可用于电源开关模块，例如DC-DC转换器，以实现高效的电能转换。
2. 电池管理：它可用于电池保护电路，以控制电池充放电和防止过放电。
3. 电源逆变器：在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）中，P沟道MOSFET可用于控制电能的流向。
4. 电源选择和开关：它可以用于电源选择器和电源开关，以在不同电源之间切换。
总之，这种型号的P沟道MOSFET适用于多种领域的电子设备和模块，以满足功率开关和电源管理的需求，特别是需要处理负电压的应用。
