B7NK80Z-VB TO263一种Single-N沟道TO263封装MOS管

2025-01-07

### 一、产品简介

B7NK80Z-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用TO263封装，设计用于需要高电压和适中电流处理能力的应用。该MOSFET 采用SJ_Multi-EPI技术，提供了高达800V的漏极-源极电压耐受能力，适合用于高压电源和功率转换应用。

### 二、详细的参数说明

| 参数 | 数值 |

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| **封装类型** | TO263 |

| **配置** | 单N沟道 |

| **漏极-源极电压 (VDS)** | 800V |

| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±30V |

| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V |

| **导通电阻 (RDS(ON))** | 850mΩ @ VGS=10V |

| **连续漏极电流 (ID)** | 7A |

| **技术** | SJ_Multi-EPI |

### 三、应用领域和模块举例

1. **高压电源开关**

B7NK80Z-VB 在高压电源开关应用中表现优异，能够承受高达800V的电压，非常适合用于高电压电源的开关和保护电路，保证系统的稳定性和安全性。

2. **逆变器**

在逆变器应用中，特别是用于高电压直流到交流的转换，B7NK80Z-VB 的高电压耐受能力和稳定的导通特性使其非常适合用作高电压逆变器的开关元件，提升系统的效率和可靠性。

3. **照明控制系统**

在高压照明控制系统中，如高压氙灯或LED驱动电路，B7NK80Z-VB 能够处理高电压的需求，确保照明系统的稳定工作和长寿命。

4. **电机驱动**

对于高电压电机驱动应用，B7NK80Z-VB 提供了所需的电流处理能力和高电压承受能力，适合用于高电压电机的启动和控制。

B7NK80Z-VB 以其高电压耐受能力和稳定的性能，适用于各种需要高电压和中等电流处理能力的应用领域。### 一、产品简介