AP02N60J-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-09
### AP02N60J-VB 产品简介
AP02N60J-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装在TO251中。该器件具有高达650V的额定漏源电压和±30V的最大栅源电压，适用于高压应用场景。其较高的导通电阻和低电流能力，使其在高电压且电流需求不高的应用中表现优越。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块示例
1. **电源转换器**：
- **应用场景**: 适用于高电压但低电流需求的电源管理系统，如小型高压DC-DC转换器。
- **示例**: 工业设备中需要稳定电压转换的小功率电源模块。
2. **工业自动化**：
- **应用场景**: 用于高压但电流较小的工业控制系统，确保设备在高压环境下稳定运行。
- **示例**: 高压控制电路、传感器电源模块。
3. **家用电器**：
- **应用场景**: 在需要高压控制但电流需求较低的家用电器中，如微波炉、电磁炉等。
- **示例**: 家用高压电源控制模块、小功率高压驱动电路。
4. **智能照明系统**：
- **应用场景**: 适用于智能照明系统中的高压驱动部分，提供高效的电压控制。
- **示例**: LED驱动电路、高压调光模块。
AP02N60J-VB适用于需要高电压但电流需求较低的广泛应用领域，包括电源转换器、工业自动化、家用电器和智能照明系统等。其Plannar技术保证了在高压环境下的稳定性和可靠性。
