BSZ42DN25NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 一、BSZ42DN25NS3 G-VB 产品简介
BSZ42DN25NS3 G-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用DFN8 (3x3)封装，利用先进的Trench技术设计。此MOSFET专为高压应用而优化，提供了高达250V的漏源极电压和良好的电流处理能力。它在高压开关和电源管理系统中表现出色，特别适合需要高耐压和高稳定性的电子应用场景。
### 二、BSZ42DN25NS3 G-VB 详细参数说明
- **型号**: BSZ42DN25NS3 G-VB
- **封装**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 250V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 125mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 10.3A
- **技术**: Trench
### 三、BSZ42DN25NS3 G-VB 适用领域和模块举例
BSZ42DN25NS3 G-VB 的高压耐受性和稳定性使其在以下领域和模块中表现出色：
1. **高压电源管理系统**: 由于其高达250V的漏源极电压，BSZ42DN25NS3 G-VB 非常适用于高压电源管理系统，如AC-DC转换器和高压DC-DC转换器。这些应用需要在高电压条件下可靠地工作，而该MOSFET 能够提供稳定的性能和低功耗损耗。
2. **电力开关设备**: 在电力开关设备中，该MOSFET 的高耐压特性使其能够承受较高的电压负荷，适合用于电力开关和断路器等模块。这种高压MOSFET 能够确保在开关过程中稳定且安全地处理高电压。
3. **逆变器系统**: 在太阳能逆变器和其他类型的高电压逆变器系统中，BSZ42DN25NS3 G-VB 能够高效地处理来自电池或太阳能板的高电压输出，确保逆变器系统的高效运行和长期稳定性。
4. **电力电子变换器**: 该MOSFET 也适用于电力电子变换器，尤其是那些涉及高电压应用的变换器模块，如电动汽车充电器和高压直流输电系统。其高电压耐受性和低导通电阻能够帮助提高系统的整体效率和可靠性。
BSZ42DN25NS3 G-VB 的高耐压、良好的导通特性以及稳定的性能，使其在需要高电压处理和高效率的应用中成为理想选择。
