B2608L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
**产品简介：**
B2608L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封装为 TO263，专为高电压和高电流应用设计。该 MOSFET 提供 60V 的漏源电压（VDS）和 150A 的最大漏极电流（ID），在 VGS 为 10V 时，其导通电阻（RDS(on)）为 4mΩ。采用 Trench 技术，这款 MOSFET 具有极低的导通阻抗和优良的开关性能，非常适合高功率密度和高效率的电子电路设计。
**详细参数说明：**
- **型号**: B2608L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单管 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 4mΩ（VGS=10V 时）
- **最大漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **高功率电源系统 (High-Power Power Systems)**: 由于其低导通电阻和高电流能力，B2608L-VB 适用于高功率电源系统，能够提供高效的电源转换和低热量散发。
2. **电动汽车 (Electric Vehicles)**: 在电动汽车的电池管理和动力控制系统中，这款 MOSFET 能够处理高电流负载，确保系统的稳定性和效率。
3. **工业电机驱动 (Industrial Motor Drives)**: 适合用于工业电机驱动系统中，提供稳定的开关性能和高电流处理能力，提升系统整体性能。
4. **高效开关电源 (Efficient Switching Power Supplies)**: 在高效开关电源应用中，B2608L-VB 的超低 RDS(on) 能显著提高系统的能效，减少功率损耗和散热需求。
