AON3408-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2024-12-05
### 一、AON3408-VB产品简介
AON3408-VB是一款单N沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装，适用于中功率和低压应用。该器件具有30V的漏源电压（VDS）、±20V的栅源电压（VGS）和1.7V的阈值电压（Vth）。在VGS为10V时，其导通电阻为8mΩ，支持最大13A的漏极电流（ID）。采用Trench技术制造，具备较低的导通电阻和良好的热特性，适合于需要高效能和中等功率的应用环境。
### 二、AON3408-VB详细参数说明
- **封装类型**：DFN8(3X3)
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：13A
- **技术**：Trench
### 三、应用领域和模块示例
AON3408-VB MOSFET适用于多种中功率和低压应用领域：
1. **电源管理**：
- **低压直流-直流转换器**：在移动设备和电源适配器中，用于高效率的电源转换和电池管理。
- **电池保护和管理**：在便携式电子设备中，用于电池保护和充电管理电路。
2. **汽车电子**：
- **电动汽车**：在车辆电子系统中，用于电动汽车电池管理和动力转换系统。
3. **工业控制**：
- **中功率电机控制**：在工业自动化和机器人控制系统中，用于中功率电机的高效控制和变频驱动。
4. **消费类电子**：
- **平板电脑和笔记本电脑**：在消费类电子设备中，用于电源管理和高效率电能转换。
AON3408-VB MOSFET以其中等功率处理能力、低导通电阻和良好的热特性，特别适用于需要中等功率和高效率的电子应用场合。
