AP04N70BS-H-HF-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### 一、产品简介
**AP04N70BS-H-HF-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装，适用于中高压应用。采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有良好的电性能和稳定性，适合在需要高电压承受能力和中等导通电阻的应用中使用。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**：TO263
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：700V
- **栅源电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 750mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**：7A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块举例
**AP04N70BS-H-HF-VB** MOSFET适用于以下各种领域和模块：
1. **电源转换器**：在需要处理高电压和中等功率的电源转换器中，如开关电源供应器、DC-DC变换器等应用中，AP04N70BS-H-HF-VB可作为关键的功率开关器件，确保电能的有效转换和供应。
2. **工业控制**：用于工业自动化控制系统中的电源管理和驱动器，如电机驱动、运动控制系统等，能够处理大功率和高电压的需求，确保设备的稳定运行和响应速度。
3. **电动汽车充电桩**：作为电动汽车充电桩中的功率开关器件，AP04N70BS-H-HF-VB能够处理高电压和电流，实现电能的快速充电和安全管理。
4. **再生能源**：在太阳能逆变器和风能转换系统中，用于处理高电压和变化的电力输出，确保再生能源系统的高效稳定运行。
5. **电力传输设备**：用于高压输电线路中的电力开关和控制器件，能够承受高电压和大电流的冲击，确保电力传输的可靠性和安全性。
**AP04N70BS-H-HF-VB**以其高电压承受能力、低导通电阻和稳定的性能特征，适用于电源转换、工业控制、电动汽车充电桩、再生能源和电力传输设备等多个领域，为各类功率应用提供可靠和高效的解决方案。
