B50NE10-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-07
### 一、产品简介
**型号：B50NE10-VB**
B50NE10-VB是一款高压、高电流的单N沟道MOSFET，采用TO263封装。该器件利用先进的Trench技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高压和高电流的应用场景。B50NE10-VB能够承受高达100V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），其门槛电压（Vth）为1.8V，确保在较低的栅极电压下能够可靠地开启。该MOSFET在10V栅极电压下的导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，能够提供高达70A的连续漏极电流（ID），在高压应用中表现出色。
### 二、详细的参数说明
- **型号**: B50NE10-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 100V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **门槛电压（Vth）**: 1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- @VGS = 10V: 20mΩ
- **连续漏极电流（ID）**: 70A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块举例
**高压电源管理**：B50NE10-VB的高漏源电压能力使其非常适合用于高压电源管理系统，如高压DC-DC转换器和电源开关。其低导通电阻和高电流处理能力确保了在高压环境下的高效能和稳定性，适用于工业电源和高电压电子设备。
**电动汽车充电系统**：在电动汽车的充电系统中，B50NE10-VB能够处理高电压和大电流，确保充电过程中的稳定性和高效性。其高电流能力和低RDS(ON)特性对保证电池充电效率和系统安全性至关重要。
**功率放大器**：在需要高功率输出的应用中，如功率放大器和射频（RF）放大器，B50NE10-VB的高压承受能力和低导通电阻可以有效提高系统的性能和效率。这对于通信设备和广播设备中的功率放大应用尤为重要。
**逆变器**：在太阳能逆变器和其他电力逆变设备中，B50NE10-VB能够在高压条件下稳定工作，减少功率损耗并提高系统的整体效率。其高电流能力和低RDS(ON)特性使其成为高效逆变器设计的关键组件。
