AP9435H-VB一种Single-P沟道TO252封装MOS管
2024-12-20
### AP9435H-VB 产品简介
AP9435H-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，封装形式为TO252。该器件具有低导通电阻、适中的电流能力以及较高的VGS和负向VDS规格，适用于需要高效能和可靠性的功率开关和控制应用。
### AP9435H-VB 详细参数说明
- **封装形式**: TO252
- **配置**: 单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 46mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -38A (注意：这里的负号表示P沟道MOSFET的导通电流方向为从漏极到源极)
- **技术**: Trench
### AP9435H-VB 应用领域和模块示例
由于其P沟道MOSFET的特性和适中的电流能力，AP9435H-VB 可以广泛应用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：适用于各种需要负载开关和电源控制的应用，如电源逆变器、DC-DC转换器和电池管理系统。
2. **移动设备**：由于其较小的封装和高效能特性，适合于移动设备中的电池管理、充电控制和功率开关。
3. **汽车电子**：在汽车电子中，可用于车载电子模块的功率开关、电机驱动和灯光控制，确保稳定的电力供应和高效的能源管理。
4. **工业控制**：适用于工业控制系统中的电机控制、开关电源和电力分配模块，提供可靠的功率开关和高效的能量转换。
5. **消费电子产品**：在各种消费电子产品中，如智能家居设备、嵌入式系统和娱乐电子设备，用于电源管理和控制电路的高效能解决方案。
AP9435H-VB 的特性使其成为多种功率开关和电源管理应用的理想选择，能够提升系统的效率和可靠性，并支持多种电子设备和系统的稳定运行。
