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SUD50P04-08-GE3-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-06
型号：SUD50P04-08-GE3
丝印：VBE2412
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-40V
- 最大电流：-65A
- 导通电阻：10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1.6Vth
- 封装：TO252
应用简介：
SUD50P04-08-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于高功率开关和负极电压控制的应用。其最大耐压为-40V，最大电流为-65A，具有低导通电阻和高性能。
该器件适用于多种应用领域的模块设计，包括但不限于：
1. 电源管理模块：适用于高功率DC-DC转换器、逆变器以及汽车电子中的负极电源控制。
2. 转换器模块：适用于高电压转换器和高电流负载开关的输出调节。
3. 电动工具：可用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。
总之，SUD50P04-08-GE3适用于要求高功率开关和负极电压控制的领域模块设计，包括电源管理、转换器模块以及电动工具等领域。
