AP4528GH-VB一种Common Drain-N+P沟道TO252-4L封装MOS管
2024-12-16
### 一、AP4528GH-VB产品简介
AP4528GH-VB是一款双N+P沟道MOSFET，采用TO252-4L封装，具有Common Drain配置。该器件适用于中高压电路中的功率开关和电流控制应用，结合了先进的Trench技术，提供低导通电阻和高电流承载能力。
### 二、AP4528GH-VB详细参数说明
- **封装类型**：TO252-4L
- **配置**：Common Drain-N+P沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：±40V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：20V（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：
- N沟道：1.8V
- P沟道：-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- N沟道：
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- P沟道：
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：
- 最大值：
- N沟道：±50A
- P沟道：±50A
- **技术类型**：Trench
### 三、适用领域和模块应用举例
AP4528GH-VB在多个领域和模块中展示出其广泛的应用性：
1. **电源管理和转换器**：适用于中高压开关电源、DC-DC转换器和电源适配器中的功率开关控制，能够提供高效的电流调节和电压稳定性，支持各种电子设备的能效优化。
2. **电动工具和汽车电子**：在电动工具的电机驱动和电池管理系统中，以及汽车电子的电池管理、电动马达控制和电动车充电系统中，能够提供高电流处理能力和可靠的功率开关功能。
3. **工业自动化**：用于工业自动化设备的电机驱动器、电源开关和高压控制系统中，支持精确的电动设备控制和高效能的工业过程管理。
4. **消费电子**：在高性能消费电子产品中，如高清显示器的背光控制、音频功放和电源管理模块中，提供稳定的电流输出和功率开关特性，提升产品性能和可靠性。
综上所述，AP4528GH-VB通过其双N+P沟道设计、高电压承载能力和优异的导通特性，适用于需要高功率密度和稳定性能的多种电子应用领域，是电路设计中的理想选择。
