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BSO150N03-VB一种SOP8封装Dual-N+N-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
BSO150N03-VB 是一款双通道 N 沟道 MOSFET，封装为 SOP8，设计用于中高电流应用。它具有 30V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 1.7V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻为 20mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下为 16mΩ。最大漏极电流为 8.5A。采用 Trench 技术，提供了优良的开关性能和较低的导通电阻，适用于各种高电流开关应用。
### 参数说明
- **型号**: BSO150N03-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 双通道 N 沟道 MOSFET（N+N）
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 8.5A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSO150N03-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在电源转换器和电源开关中作为关键的开关元件，支持高效的电流控制和负载管理。
- **电池保护**: 在电池管理系统中作为保护开关，确保电池的安全性和延长使用寿命。
- **消费电子**: 用于智能手机、平板电脑等设备中的电源开关和负载开关，提高系统效率。
- **汽车电子**: 在汽车电源管理系统中，处理电动座椅、车灯等高电流负载的开关，提升汽车电气系统的稳定性。
