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B410L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
B410L-VB 是一款高功率、高电流单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 Trench 技术，提供极低的导通电阻和高电流承载能力，专为高电压、高功率应用设计，具有优异的性能和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: B410L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单级N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 140A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
B410L-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高功率电源开关**：用于高功率电源系统中的开关应用，提供低损耗和高效能的功率控制。
2. **电动汽车**：在电动汽车的动力控制系统中处理高电流负载，提高系统性能和可靠性。
3. **DC-DC 转换器**：用于高功率 DC-DC 转换器中作为开关元件，优化电力转换并降低能量损耗。
4. **工业电源**：在工业设备和电源管理系统中，作为高电流开关元件，确保系统的稳定和高效运作。
