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BSS127SSN-7-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2025-01-09
**1. 产品简介：**
BSS127SSN-7-VB 是一款高耐压 N-Channel MOSFET，封装为 SOT23-3。采用 Plannar 技术，能够承受高达 650V 的漏极-源极电压，适合于高电压和低电流的开关应用。
**2. 详细参数说明：**
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 8400mΩ（在 VGS=10V 时）
- **漏极电流 (ID)**: 1A
- **技术**: Plannar
**3. 应用领域举例：**
BSS127SSN-7-VB 适用于高电压开关和保护电路，如电源保护、电流限制、电气隔离和高压开关应用。由于其高电压承受能力和适中的导通电阻，这款 MOSFET 适合于需要处理高电压但电流相对较低的应用场景，例如开关电源和高电压保护电路。
