AON6910A-VB一种Half-Bridge-N+N沟道DFN8(5X6)-C封装MOS管
2024-12-06
### 产品简介
AON6910A-VB 是一款高性能的半桥 N+N 型通道 MOSFET，采用槽道结构技术（Trench），封装在 DFN8(5X6)-C 中。它具有极低的导通电阻、高电流处理能力和较低的栅极阈值电压，适合要求高效率和可靠性的功率开关和电源管理应用。
### 产品详细参数
- **型号**：AON6910A-VB
- **封装类型**：DFN8(5X6)-C
- **配置**：半桥 N+N 型通道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 4mΩ @ VGS=4.5V
- 3.4mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**：60A
- **技术**：槽道结构（Trench）
### 应用领域和模块示例
1. **电动车辆**
- **领域**：电动车和混合动力车辆。
- **应用**：AON6910A-VB 可用于电动车辆的电机控制单元和电池管理系统中，作为电源逆变器和功率分配模块的关键组件，提供高效率和可靠性。
2. **工业电源**
- **领域**：工业控制和电源设备。
- **应用**：在工业电源逆变器、电机驱动器和电源管理单元中，该 MOSFET 可用于提高系统效率和响应速度，满足复杂工业应用的需求。
3. **服务器和数据中心**
- **领域**：信息技术和数据处理设备。
- **应用**：用于高密度服务器和大规模数据中心的功率开关和电源管理解决方案，支持数据处理和计算密集型应用的稳定运行。
4. **消费电子**
- **领域**：消费类电子产品。
- **应用**：在高性能电源适配器、便携式电子设备和智能家居系统中，AON6910A-VB 可提供高效的功率转换和电池管理功能，延长设备使用时间和提升性能。
AON6910A-VB 通过其优异的导通特性和高电流处理能力，适用于多种要求高效率和高可靠性的功率电子应用，为各类电子设备和系统提供了可靠的电源管理解决方案。
