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AP75T10S-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2024-12-19
### 1. 产品简介详细：
AP75T10S-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装，设计用于高电压和高电流的功率开关应用。其采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适合要求高效能和高可靠性的电源管理和功率控制系统。
### 2. 详细的参数说明：
- **封装类型**: TO263
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通时的静态电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 23mΩ
- @ VGS = 10V: 10mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 最大值 100A
- **技术特点**: Trench 结构，提供优异的开关特性和热稳定性
### 3. 应用示例：
- **电源转换器**: AP75T10S-VB 可以用作高性能电源转换器的主要功率开关，确保转换效率高和稳定的电能输出。
- **电动汽车充电器**: 在高功率电动汽车充电器中，该器件可以作为关键的功率开关，支持高速充电和稳定的电池管理。
- **工业电源系统**: 在需要处理大电流和高电压的工业电源系统中，AP75T10S-VB 可以提供可靠的电力控制，适用于工厂自动化和设备运行的稳定性要求。
- **服务器和数据中心**: 在服务器和数据中心的电源管理中，该器件可以用于高效的电源分配和管理，确保服务器设备的稳定运行和节能效果。
这些示例展示了 AP75T10S-VB 在不同领域和模块中的广泛应用，体现了其在功率管理和控制系统中的重要性和实用性。
