AUIRFR4292TR-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2025-01-04
### 产品简介
AUIRFR4292TR-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为高电压应用设计。其具有宽广的栅极驱动电压范围、良好的导通电阻特性和相对较高的漏极电流能力。该器件支持高达 250V 的漏源电压，适用于各种高电压和高功率的电力电子应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AUIRFR4292TR-VB
- **封装**: TO-252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 176mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 17A
- **技术**: 沟槽型
### 应用领域与模块
AUIRFR4292TR-VB MOSFET 在以下领域和模块中有广泛应用：
1. **高压电源**：在高压电源转换器和供电模块中，这款 MOSFET 能够承受高达 250V 的漏源电压，适合高压直流到直流转换器（DC-DC 转换器）和其他高电压电源管理应用。
2. **电动汽车**：在电动汽车的高电压电池管理系统和功率转换模块中，该 MOSFET 的高电压耐受能力提供了良好的电流控制和保护，确保系统的稳定运行。
3. **工业控制**：用于高电压工业控制系统，如变频器和电机驱动器中，提供高可靠性的开关控制，支持高电压负载的高效运行。
4. **家电设备**：在一些高电压家电产品中，如洗衣机和空调的控制电路中，AUIRFR4292TR-VB 的高电压能力和稳定性有助于确保设备的正常操作。
5. **电力传输**：在电力传输系统中，如高电压直流输电（HVDC）应用中，MOSFET 的高电压耐受性和低导通电阻特性可以有效提高系统效率和稳定性。
