B120NF10-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
**产品简介：**
B120NF10-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封装为 TO263，适用于高电压和高电流应用。该 MOSFET 提供 100V 的漏源电压（VDS）和 100A 的最大漏极电流（ID），在 VGS 为 4.5V 和 10V 时，其导通电阻（RDS(on)）分别为 23mΩ 和 10mΩ。采用 Trench 技术，这款 MOSFET 具有极低的导通阻抗和优良的开关性能，非常适合高功率密度和高效率的电子电路设计。
**详细参数说明：**
- **型号**: B120NF10-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单管 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 23mΩ（VGS=4.5V 时）
- 10mΩ（VGS=10V 时）
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **高功率电源管理 (High-Power Power Management)**: 由于其超低导通电阻和高电流能力，B120NF10-VB 适用于高功率电源管理系统，能够显著提高能效并减少热量。
2. **电动汽车 (Electric Vehicles)**: 在电动汽车的电池管理系统和动力控制模块中，这款 MOSFET 提供高电流承载能力和低功耗，确保系统的稳定性和高效性。
3. **工业设备 (Industrial Equipment)**: 适合用于工业设备的高功率开关和电流控制应用，能够在苛刻的工作环境中提供可靠的性能。
4. **高效开关电源 (Efficient Switching Power Supply)**: 在高效开关电源中，该 MOSFET 的低 RDS(on) 和高电流能力有助于提高系统的转换效率，减少功率损耗。
