BSC190N12NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 一、产品简介
BSC190N12NS3 G-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装，设计用于中高电压应用。此MOSFET 使用Trench技术，能够在高达100V的漏极-源极电压下工作，提供低导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于需要高效率和高可靠性的功率管理系统。
### 二、详细的参数说明
| 参数 | 数值 |
|-----------------|-----------------|
| **封装类型** | DFN8(5x6) |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 100V |
| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.8V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 17mΩ @ VGS=10V |
| **连续漏极电流 (ID)** | 30A |
| **技术** | Trench |
### 三、应用领域和模块举例
1. **DC-DC转换器**
BSC190N12NS3 G-VB 在DC-DC转换器中表现卓越，能够处理100V的高电压，低导通电阻有助于提升电源转换效率，减少功率损耗，提高系统的整体性能。
2. **电源管理**
在电源管理系统中，如电源开关和电流调节应用，BSC190N12NS3 G-VB 的高电压耐受能力和低RDS(ON)使其成为理想的开关元件，保证系统的高效能和稳定性。
3. **电动汽车**
在电动汽车的电池管理和驱动系统中，BSC190N12NS3 G-VB 的高电压承受能力和较低的导通电阻，能够有效处理电动汽车系统中的功率需求，提高其性能和续航能力。
4. **工业电机控制**
对于工业电机控制系统，BSC190N12NS3 G-VB 能够提供高电流和低导通电阻，适合用于高电压电机的启动和控制，确保系统的高效稳定运行。
BSC190N12NS3 G-VB 以其高电压耐受能力和低导通电阻，适用于各种需要高效率和高可靠性的功率管理和电源转换应用。
