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BSC050N03LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC050N03LS G-VB** 是一款高效单通道 N 型 MOSFET，采用 DFN8(5x6) 封装，专为低电压、高电流应用设计。该器件具有较低的 RDS(ON)（3mΩ @ VGS=10V），最大漏极电流为 120A，能够在高负载下有效减少功耗。其阈值电压为 1.7V，栅极-源极耐压为 ±20V，适合在复杂环境中稳定工作。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC050N03LS G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)
### 应用领域和模块
**BSC050N03LS G-VB** 在以下领域和模块中表现优异：
1. **电源管理**：适用于高效电源转换器和 DC-DC 转换模块，能有效降低功耗并提高系统效率。
2. **电机驱动**：在电机控制系统中处理高电流，适合用于工业电机、电动车辆和电动工具。
3. **汽车电子**：应用于汽车电源管理和负载开关，如电动窗户、座椅调节和电动后视镜。
4. **充电系统**：用于电池充电器和电池管理系统中，提供高效的开关控制，优化充电过程。
5. **计算机电源**：在数据中心和高性能计算设备中应用，支持高电流开关，提高电源模块的性能和可靠性。
