BSC190N15NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 一、产品简介
BSC190N15NS3 G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装。它采用Trench技术，设计用于处理中高电压和电流应用。具有高电压耐受能力和相对较低的导通电阻，使其适合于各种功率管理和开关应用。
### 二、详细参数说明
- **型号**：BSC190N15NS3 G-VB
- **封装**：DFN8(5X6)
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：150V
- **栅源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：15.8mΩ（@VGS=10V）
- **漏极电流（ID）**：53.7A
- **技术**：Trench（沟槽技术）
### 三、应用领域和模块
BSC190N15NS3 G-VB MOSFET因其高电压耐受能力和低导通电阻，在多个领域和模块中表现优异。以下是一些具体应用的示例：
1. **高电压开关电源**：
在高电压开关电源应用中，BSC190N15NS3 G-VB MOSFET能够处理高达150V的漏源极电压，适用于电源开关电路和DC-DC转换器。其低导通电阻有助于提高电源转换效率，减少功率损耗和热量生成。
2. **电动汽车电池管理系统**：
在电动汽车的电池管理系统中，该MOSFET可用于电池保护和高电压控制。其高电压耐受能力和低RDS(ON)特性确保电池系统的高效和安全运行，同时能够有效管理电流流动。
3. **工业电源和负载开关**：
在工业电源和负载开关应用中，BSC190N15NS3 G-VB适合用于需要高电压和高电流的场景。它能够稳定控制负载开关，并处理高电压负载，提升工业设备的整体性能和可靠性。
4. **高功率LED驱动**：
在高功率LED照明系统中，该MOSFET可以作为LED驱动和控制组件。其高电压能力使其能够处理高功率LED的驱动需求，同时低导通电阻有助于提高LED的亮度和寿命。
5. **消费电子和通信设备**：
BSC190N15NS3 G-VB MOSFET也适用于高电压的消费电子和通信设备中。例如，在高电压的电源管理模块中，能够提供稳定的开关控制和电流管理，提升设备的效率和稳定性。
这些应用示例展示了BSC190N15NS3 G-VB MOSFET在高电压、高电流和功率管理领域中的广泛适用性和关键作用。
