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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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4606-VB一款N+P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

2024-02-22

4606.pdf

型号: 4606-VB


丝印: VBA5325


品牌: VBsemi


参数:


- 封装: SOP8

- 沟道类型: N+P—Channel

- 额定电压(V): ±30V

- 额定电流(A): 9A (N-Channel), -6A (P-Channel)

- 开态电阻(RDS(ON)): 15mΩ (N-Channel) / 42mΩ (P-Channel) @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压(Vth): ±1.65V


封装: SOP8


重新生成的详细参数说明和应用简介:


4606-VB是一款N+P—Channel沟道MOSFET,采用SOP8封装。其主要参数包括±30V的额定电压,N-Channel通道为9A,P-Channel通道为-6A,以及在不同门源电压下的开态电阻。


**详细参数说明:**


1. **额定电压(V):** ±30V - 这表示器件能够在正负30V的电压下正常工作。


2. **额定电流(A):**

   - N-Channel: 9A - 这表示N-Channel通道可以承受的最大电流为9安培。

   - P-Channel: -6A - 这表示P-Channel通道可以承受的最大电流为-6安培。负值表示电流方向与N-Channel相反。


3. **开态电阻(RDS(ON)):**

   - N-Channel: 15mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 这表示在不同的门源电压下,N-Channel通道的导通状态时的电阻。在这个例子中,当门源电压为10V或20V时,N-Channel通道的开态电阻为15毫欧姆。

   - P-Channel: 42mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 这表示在不同的门源电压下,P-Channel通道的导通状态时的电阻。在这个例子中,当门源电压为10V或20V时,P-Channel通道的开态电阻为42毫欧姆。


4. **阈值电压(Vth):** ±1.65V - 这是器件的阈值电压,即MOSFET开始导通的门源电压。正负号分别表示N-Channel和P-Channel通道的阈值电压。

VBA5325.png

**应用简介:**


4606-VB适用于多种领域的电源和开关电路,具体包括但不限于:


1. **电源模块:** 适用于设计小型电源模块,提供高效的电源解决方案。


2. **电池管理:** 可用于便携设备和电池供电系统,有效控制电流和电压。


3. **开关电源:** 可用于开关电源中的功率开关部分,实现高效的电能转换。


4. **电机驱动:** 由于其双通道设计,可用于电机驱动电路,提供可靠的功率输出。


5. **电动工具:** 在电动工具和设备中,可用于高功率开关电路,如电动锯、钻等。


总的来说,4606-VB是一款双通道N+P—Channel MOSFET,适用于多种低功耗和小型电路的应用,特别在需要控制两个通道的场合,如电源管理、电机驱动和便携设备等领域。