AP4521GEH-VB一种Common Drain-N+P沟道TO252-4L封装MOS管
2024-12-16
### AP4521GEH-VB 产品简介
AP4521GEH-VB 是一款双N+P沟道共源结构的功率MOSFET，采用TO252-4L封装，适合需要同时控制正负沟道的应用设计。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于高功率电路和需要高效能量转换的应用场景。
### AP4521GEH-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252-4L
- **配置**: 双N+P沟道，共源结构
- **漏源电压 (VDS)**: ±40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**:
- N沟道: 1.8V
- P沟道: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N沟道:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 14mΩ @ VGS = 10V
- P沟道:
- 16mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: ±50A
- **技术类型**: Trench 结构
### 应用领域和模块举例
AP4521GEH-VB 在以下领域和模块中有广泛应用：
1. **电源逆变器**: 用于工业和家庭逆变器系统中，实现高效的电能转换和稳定的输出功率，如太阳能逆变器和UPS系统。
2. **电动汽车充电器**: 在电动车充电系统中，可以应用于直流充电桩和车载充电器，提供高效率的功率转换和快速充电能力。
3. **工业自动化**: 适用于工业机器人、电动工具和自动化控制系统的电机驱动和功率管理模块，确保设备的高效运行和长期稳定性。
4. **服务器电源**: 在数据中心和服务器设备中，用于服务器电源管理和高效能量转换，提高数据处理能力和系统稳定性。
通过以上应用场景的示例，可以看出AP4521GEH-VB 可以在多种需要高功率和高效能量转换的电子设备和系统中发挥重要作用，提升系统的性能和可靠性。
