深圳市微碧半导体有限公司

### 产品简介

AP4511GD-VB是一款双N+P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（Dual N+P-Channel MOSFET），采用DIP8封装。它结合了N沟道和P沟道MOSFET的特性，适用于需要同时控制正负电压的电路设计。该器件采用沟槽技术，具有良好的导通特性和低导通电阻，适合于需要高效能量转换和电源管理的应用。

### 详细参数说明

- **型号**：AP4511GD-VB

- **封装**：DIP8

- **配置**：双N+P沟道

- **漏源极电压（VDS）**：±30V

- **栅源极电压（VGS）**：20V（±V）

- **阈值电压（Vth）**：±1V

- **导通电阻（RDS(ON)）**：

  - N沟道：

    - 30mΩ @ VGS=4.5V

    - 25mΩ @ VGS=10V

  - P沟道：

    - 30mΩ @ VGS=-4.5V

    - 25mΩ @ VGS=-10V

- **最大漏极电流（ID）**：

  - N沟道：7.2A

  - P沟道：-5A

- **技术**：沟槽技术（Trench）

AP4511GD-VB.pdf

### 应用领域和模块示例

AP4511GD-VB适用于多种需要正负电压控制和功率管理的应用场合，以下是几个具体的应用示例：

1. **电源管理**：

   AP4511GD-VB可用作电源开关和电流控制器，在各种电源管理系统中起到关键作用。其双N+P沟道结构使其适合于高效能量转换和复杂电路设计。

2. **电动工具和家电**：

   在电动工具和家用电器中，AP4511GD-VB用于驱动电机和控制功率开关，提升设备的性能和能效。其低导通电阻和高电流处理能力确保了设备在高负载条件下的稳定运行。

3. **电动车辆**：

   在电动汽车和混合动力车辆的电力传动系统中，AP4511GD-VB作为功率半导体开关器件用于电机驱动和电池管理系统。其高耐压和高电流能力确保了电动车辆系统的可靠性和高效性。

4. **工业自动化**：

   在工业自动化设备和机器人控制系统中，AP4511GD-VB用于高效能量转换和精确的电动执行器控制。其低导通电阻和快速开关特性支持工业设备的高性能操作和精确控制。

5. **通信设备**：

   在通信基站和网络设备中，AP4511GD-VB作为功率管理器件，支持高频率开关和电源管理。这款MOSFET的高电压和高电流处理能力确保了通信设备在高负载和高频操作条件下的稳定性和可靠性。

AP4511GD-VB凭借其双N+P沟道结构和优异的电性能特征，能够满足复杂电路设计的需求，广泛应用于各种需要正负电压控制和高效能量转换的电子设备和系统中。