BSC090N03MS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC090N03MS G-VB** 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 DFN8(5x6)。这款 MOSFET 使用了先进的 Trench 技术，旨在满足高电流和高效率应用的需求。其最大漏源极电压（VDS）为 30V，能够在各种条件下稳定工作，门源极电压（VGS）最大为 ±20V，提供了良好的驱动灵活性。BSC090N03MS G-VB 的导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 4.5V 时为 9mΩ，在 VGS 为 10V 时为 7mΩ，具有极低的功耗和高效能。该 MOSFET 的漏极电流（ID）高达 80A，适合处理大电流负载。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC090N03MS G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **门源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**:
BSC090N03MS G-VB 在电源管理模块中表现出色，尤其适合用于高效率的开关电源和 DC-DC 转换器。其低导通电阻减少了功率损耗，提升了电源转换效率，保证系统的高效稳定运行。
2. **电机驱动**:
由于其高电流处理能力和低导通电阻，BSC090N03MS G-VB 是电机驱动应用中的理想选择。它能够驱动直流电机和步进电机，提供高效的电流处理能力和响应速度。
3. **功率转换器**:
对于功率转换器应用，如高效的 AC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器，BSC090N03MS G-VB 能够提供可靠的开关性能和高功率处理能力。其低导通电阻有助于减少系统的热量生成，提升功率转换效率。
4. **LED 驱动电路**:
在高功率 LED 驱动电路中，BSC090N03MS G-VB 能够处理较大的电流，且其低导通电阻有助于减少热量生成，提升系统的稳定性和使用寿命。
这款 MOSFET 的设计使其在处理高电流和高效率应用时表现优异，特别适用于电源管理和功率转换领域。
