AO5800E-VB一种Dual-N+N沟道SC75-6封装MOS管
2024-12-03
### 产品简介
AO5800E-VB 是一款双通道（Dual-N+N-Channel）MOSFET，采用SC75-6封装。它采用先进的Trench技术，主要设计用于低功率应用场合，如电源管理和信号开关。
### 详细参数说明
| 参数 | 数值 |
| ------------- | ---------------------- |
| **封装** | SC75-6 |
| **配置** | 双通道 (N+N-Channel) |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 60V |
| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1500mΩ @ VGS=4.5V<br>1200mΩ @ VGS=10V |
| **漏极电流 (ID)** | 0.3A |
| **技术** | Trench |
### 应用领域和模块示例
1. **低功率电源管理**
AO5800E-VB 适用于需要低功率电源管理的场合，例如便携式设备、电池供电设备以及低功耗传感器。其低导通电阻和稳定性能能够有效管理电源，延长电池使用寿命。
2. **信号开关和控制**
在信号开关和控制电路中，AO5800E-VB 可以作为高性能的开关元件，用于控制电路中的信号传输和处理。其高阻抗和低功耗特性使其在精确控制和数据传输中表现优异。
3. **汽车电子系统**
在汽车电子系统中，AO5800E-VB 可以用于低功率的控制和信号处理电路，例如车内控制面板、车载传感器以及车辆安全系统中的电路控制。
4. **医疗设备**
由于其稳定性和低功耗特性，AO5800E-VB 可以在医疗设备中作为控制电路和传感器接口的关键元件，支持医疗设备的安全和可靠运行。
AO5800E-VB 的设计使其特别适用于需要高性能和低功耗的电子应用场合，能够提供可靠的电能管理和信号处理解决方案。
