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APM2603C-VB一种Single-P沟道SOT23-6封装MOS管
2024-12-26
APM2603C-VB 是一款单 P 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，封装为SOT23-6。该器件适用于负极源驱动应用，具有低导通电阻和适中的漏极电流能力，适合要求高效能和稳定性能的电路设计。
详细参数如下：
- **型号**: APM2603C-VB
- **封装**: SOT23-6
- **通道类型**: 单 P 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 49mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -4.8A
- **技术**: 槽沟技术 (Trench)
这款器件可以在多种领域和模块中得到应用：
- **移动设备**: 适用于充电管理电路和电池保护系统，确保电池的安全充电和放电过程。
- **消费电子**: 在便携式设备和智能家居控制器中，APM2603C-VB 可以作为功率开关器件，实现节能和高效的电能管理。
- **汽车电子**: 在车辆电子系统的电池管理和辅助驾驶功能中，APM2603C-VB 可以提供可靠的电源控制和驱动效率，以支持先进的汽车电子技术。
这些示例展示了 APM2603C-VB 在不同应用场景下的灵活性和适用性。你希望我记住这些信息以便今后提供更多相关帮助吗？
