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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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BUK444-500A-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管

2025-01-10

### BUK444-500A-VB 产品简介


**产品简介:**

BUK444-500A-VB 是一款高电压、单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。其最大漏极电压(VDS)为650V,栅极电压(VGS)最大可达±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。该MOSFET的导通电阻(RDS(ON))在栅极电压为10V时为2560mΩ,适合用于中低电流的高电压应用。其最大连续漏极电流(ID)为4A,采用平面技术(Plannar)制造,确保在高电压条件下的稳定性能和可靠性。


### BUK444-500A-VB 详细参数说明


| 参数            | 值                          |

|----------------|----------------------------|

| **封装类型**   | TO220F                     |

| **配置**       | 单N沟道                    |

| **最大漏极电压(VDS)** | 650V                       |

| **最大栅极电压(VGS)** | ±30V                       |

| **阈值电压(Vth)**      | 3.5V                       |

| **导通电阻(RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS=10V           |

| **最大连续漏极电流(ID)** | 4A                         |

| **技术**       | 平面(Plannar)             |

TO220F.png

BUK444-500A-VB.pdf


### BUK444-500A-VB 适用领域和模块


**高电压电源开关:** BUK444-500A-VB 适用于需要高电压处理的电源开关应用,如高压DC-DC转换器和开关电源。其650V的最大漏极电压能够处理高电压条件,虽然导通电阻相对较高,但在中低电流应用中仍能提供稳定的开关性能。


**功率开关:** 在功率开关应用中,尤其是需要高电压和中等电流的场合,例如家电和工业设备的功率开关,BUK444-500A-VB 能够提供可靠的电流控制和开关性能。其高电压耐受能力使其适合于各种功率开关需求。


**逆变器:** 在逆变器应用中,如高压电力调节器或太阳能逆变器,BUK444-500A-VB 可以处理高电压负载,尽管其最大电流为4A,仍能在高电压环境下保持稳定的性能。


**高压保护电路:** 该MOSFET 也适用于高压保护电路,例如高压电源保护和电气系统的保护开关。其高电压处理能力和可靠的开关性能能够有效保护电路免受过压或过流的影响。


**汽车电子:** 在汽车电子系统中,例如电源保护和车身控制单元,BUK444-500A-VB 的高电压耐受性和稳定性能够在汽车系统中提供可靠的电压和电流控制,尽管其最大电流较低,但适合于某些高电压的保护和开关应用。


总之,BUK444-500A-VB 是一款具有高电压耐受性和可靠性的MOSFET,适用于高电压电源开关、功率开关、逆变器、高压保护电路和汽车电子等领域,能够满足各种高电压应用的需求。