AP3986I-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-13
### 产品简介
AP3986I-VB是一款高压N沟道MOSFET，采用平面结构技术设计，专为高压和高可靠性应用而优化。其TO220F封装形式提供了良好的散热性能和机械强度，适用于多种工业和电子设备中的功率开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**：AP3986I-VB
- **封装形式**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：7A
- **技术类型**：平面结构
### 应用领域和模块示例
1. **工业电源**：
AP3986I-VB非常适合工业电源系统中的开关电源和逆变器。其高电压承载能力和稳定的性能，使其能够在各种工业设备和系统中提供可靠的电力转换和管理。
2. **电动汽车充电桩**：
在电动汽车充电桩中，AP3986I-VB可以用作充电桩控制单元中的功率开关元件。其高电压耐受能力和低导通电阻有助于实现高效的充电过程，并确保安全可靠的电力传输。
3. **太阳能逆变器**：
作为太阳能逆变器中的关键部件，AP3986I-VB可以帮助将太阳能板生成的直流电转换为交流电。其高电压特性和低导通电阻有助于最大限度地提高能量转换效率。
4. **工业电机驱动**：
在工业电机驱动系统中，AP3986I-VB可以用于电机控制单元中的功率开关。其能够处理高功率和快速开关需求，适合于各种工业自动化和驱动应用。
5. **高压电源开关**：
由于其650V的漏源电压和高可靠性，AP3986I-VB适用于各种高压电源开关应用，包括高压直流电源和电力分配系统中的开关功能。
AP3986I-VB是一款能够在高压环境下稳定工作的高性能MOSFET，适用于多种工业和电子领域中的功率开关和控制应用，提供了可靠的电力管理和效率优化解决方案。
