B412L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
**产品简介：**
B412L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封装为 TO263，设计用于高电压和高电流应用。该 MOSFET 支持 100V 的漏源电压（VDS）和 100A 的最大漏极电流（ID），在 VGS 为 4.5V 和 10V 时，其导通电阻（RDS(on)）分别为 23mΩ 和 10mΩ。采用 Trench 技术，这款 MOSFET 提供极低的导通阻抗和良好的开关性能，非常适合要求高功率密度和高效率的电路设计。
**详细参数说明：**
- **型号**: B412L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单管 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 23mΩ（VGS=4.5V 时）
- 10mΩ（VGS=10V 时）
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **高功率开关电源 (High-Power Switching Power Supplies)**: 由于其高电流承载能力和低导通电阻，B412L-VB 适用于高功率开关电源，能显著提高系统效率，并减少热量产生。
2. **电动汽车 (Electric Vehicles)**: 在电动汽车的电池管理和动力控制系统中，该 MOSFET 能处理高电压和高电流负载，确保系统的高效和稳定性。
3. **工业电机驱动 (Industrial Motor Drives)**: 适合用于工业电机驱动系统中，提供稳定的开关性能和高电流处理能力，提升系统整体性能。
4. **电源管理系统 (Power Management Systems)**: B412L-VB 在电源管理系统中能够有效控制高电流负载，提供高效的性能和稳定性，降低功耗和散热需求。
