APM4536KC-TRL-VB一种SOP8封装Dual-N+P-Channel场效应管
2024-12-27
### 产品简介
**APM4536KC-TRL-VB**是一款高效能的MOSFET，采用SOP8封装，集成了一个双N+P通道配置。该产品采用沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，是电源管理和开关应用的理想选择。该器件能够在较宽的电压范围内工作，适用于多种应用场景，包括DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关。
### 详细参数说明
- **封装类型**：SOP8
- **配置**：双N+P通道
- **漏源电压 (VDS)**：±30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.6V（N通道） / -1.7V（P通道）
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- @VGS=4.5V：24mΩ（N通道） / 50mΩ（P通道）
- @VGS=10V：18mΩ（N通道） / 40mΩ（P通道）
- **漏极电流 (ID)**：±8A
- **技术**：沟槽
### 应用领域和模块举例
1. **DC-DC转换器**：
- **APM4536KC-TRL-VB**的双N+P通道配置使其在同步降压转换器中表现出色。其低导通电阻和高电流处理能力能够提高转换效率，减少热损耗，从而提升整体电源管理系统的性能。
2. **电池管理系统**：
- 该MOSFET的高电流处理能力和宽电压范围使其在电池保护电路和充放电控制中表现优异。其沟槽技术能够在较小的芯片面积内实现更高的功率密度，适用于便携式设备和电动工具等应用。
3. **负载开关**：
- 由于**APM4536KC-TRL-VB**的低导通电阻和高电流容量，它非常适合作为负载开关使用。其能够在较低的控制电压下实现高效的电流开关，非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备的电源控制。
这些特性使得**APM4536KC-TRL-VB**在电源管理和高效开关应用中具有广泛的适用性，是设计工程师实现高性能和高可靠性电路的重要选择。
