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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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BUK657-600B-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管

2025-01-15

### BUK657-600B-VB 产品简介


BUK657-600B-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220封装,设计用于高电压和中等电流应用。这款MOSFET具有600V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS)。它采用平面(Planar)技术,提供相对较高的导通电阻。在VGS为4.5V时的导通电阻为1070mΩ,在VGS为10V时的导通电阻为780mΩ,最大漏极电流(ID)为8A。BUK657-600B-VB特别适用于需要高耐压和中等电流处理的应用,能够在高电压环境中提供可靠的开关性能。


### BUK657-600B-VB 详细参数说明


| 参数             | 值                | 单位 |

|------------------|-------------------|------|

| 封装类型         | TO220             |      |

| 配置             | 单N沟道           |      |

| 漏源电压 (VDS)   | 600               | V    |

| 栅源电压 (VGS)   | ±30               | V    |

| 阈值电压 (Vth)   | 3.5               | V    |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 1070 (VGS=4.5V)  | mΩ   |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 780 (VGS=10V)    | mΩ   |

| 最大漏极电流 (ID) | 8                 | A    |

| 技术             | 平面(Planar)    |      |

TO220.png

BUK657-600B-VB.pdf


### BUK657-600B-VB 适用领域和模块


1. **高压电源开关(High-Voltage Power Switching)**:

   BUK657-600B-VB在高压电源开关应用中表现出色,适用于需要高电压耐受能力的场合。其600V的漏源电压允许它在高电压环境中可靠地开关电流,同时其适中的导通电阻和电流能力确保了稳定的性能。


2. **电机驱动(Motor Drives)**:

   在高电压电机驱动应用中,该MOSFET可以用于控制和驱动高电压直流电机和无刷电机(BLDC)。虽然它的电流处理能力(8A)相对较低,但其高电压耐受能力使其在高压环境中依然有效。


3. **开关模式电源(Switching Mode Power Supplies, SMPS)**:

   BUK657-600B-VB适用于开关模式电源中,特别是需要高电压处理的应用。其高电压耐受能力和相对较高的导通电阻使其适合用于高电压部分的开关控制,确保系统的稳定性和安全性。


4. **高压逆变器(High-Voltage Inverters)**:

   在高压逆变器中,该MOSFET可以用于高压开关和控制电路,尤其是在需要600V耐压的逆变器设计中。它的高电压耐受性使其适合用于高功率逆变器,提供可靠的开关性能。


5. **工业电源(Industrial Power Supplies)**:

   BUK657-600B-VB在工业电源中可用于高压开关和控制模块。它的高电压能力和适中的电流处理能力适合用于各种工业电源应用中,提供稳定的性能。


BUK657-600B-VB以其高电压耐受能力和相对较低的导通电阻,适用于需要高电压处理的各种应用,为电源开关、电机驱动和高压控制提供了可靠的解决方案。