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B264L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B264L-VB** 是一款高性能单极性N通道场效应晶体管，封装形式为TO263。此MOSFET采用Trench技术，能够承受高达60V的漏源电压和210A的电流，适用于高功率和高效率的开关应用。其低导通电阻和高电流处理能力使其在各种高负载应用中表现出色，特别适合需要高效能开关的场合。
### 详细参数说明
- **型号**: B264L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极N通道
- **漏源电压 (V_DS)**: 60V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 12mΩ (V_GS = 4.5V)
- 3.2mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏电流 (I_D)**: 210A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块
1. **电源管理**：B264L-VB适用于高功率电源管理应用，如高电压DC-DC转换器和电源适配器。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高电源系统的效率和稳定性，处理大电流负载时表现卓越。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电池管理和电动驱动系统中，B264L-VB可以有效处理高电流负载，提升电动汽车的整体性能和可靠性，优化电池的充电和放电过程。
3. **开关电源**：该MOSFET适用于开关电源设计，能够稳定地处理高功率负载，确保电源系统的高效能和稳定性，特别是在要求高电流和高电压的应用中表现良好。
4. **工业自动化**：在工业自动化设备中，B264L-VB能够作为高功率开关元件使用，如电机驱动和控制系统，提供可靠的开关控制和高效能，满足高负载应用的需求。
