BSC0901NS-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 一、产品简介
**型号：BSC0901NS-VB**
BSC0901NS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装。该MOSFET使用先进的Trench技术制造，具有极低的导通电阻和高电流处理能力，专为高效能的电源管理和开关应用设计。BSC0901NS-VB支持高达30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），其门槛电压（Vth）为1.7V，确保在较低的栅极电压下能够可靠开启。该MOSFET在4.5V栅极电压下的导通电阻（RDS(ON)）为2.5mΩ，在10V栅极电压下为1.8mΩ，能够提供高达160A的连续漏极电流（ID），在高电流和高效率的应用中表现卓越。
### 二、详细的参数说明
- **型号**: BSC0901NS-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 30V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **门槛电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- @VGS = 4.5V: 2.5mΩ
- @VGS = 10V: 1.8mΩ
- **连续漏极电流（ID）**: 160A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块举例
**电源管理系统**：BSC0901NS-VB因其极低的导通电阻和高电流处理能力，非常适用于高效电源管理系统。在DC-DC转换器、开关电源和高性能电源供应单元中，这款MOSFET能够显著降低功耗，提高系统效率，适合在计算机电源、通信设备电源和消费电子产品中使用。
**电动汽车**：在电动汽车的电机驱动和电池管理系统中，BSC0901NS-VB的高电流能力和低RDS(ON)特性使其能够处理大电流，确保系统的稳定性和高效性。这对于电动汽车的电机控制和电池充电/放电管理至关重要，有助于提升电动汽车的性能和续航能力。
**工业电源**：BSC0901NS-VB适用于高功率工业电源应用，如变频器和工业电源供应单元。其高电流处理能力和低导通电阻可以处理高功率负载，确保系统的高效运作和长期稳定性，适合在各种工业电源和动力系统中使用。
**LED驱动器**：对于高功率LED照明应用，BSC0901NS-VB提供的低导通电阻可以有效减少功耗和热量，提升LED的效率和使用寿命。这使其在高亮度LED照明系统和高功率LED驱动模块中表现优异。
**高性能开关**：在需要高电流和低功耗的开关应用中，如电机驱动、功率转换和高功率开关模块，BSC0901NS-VB能够提供稳定和高效的开关性能。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效开关系统的理想选择。
