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B40NF10-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B40NF10-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 Trench 技术，设计用于高电压和高电流应用。它具有较高的漏源电压和较低的导通电阻，适合用于各种电源管理和功率控制模块，提供卓越的开关性能和高效能。
### 详细参数说明
- **型号**: B40NF10-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 100V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 1.8V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 10V 栅源电压下: 20mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: 70A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**B40NF10-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高压开关电源**:
- 在高压电源系统中作为开关元件，提供低导通电阻，优化电源转换效率和稳定性。
2. **工业电源管理**:
- 用于工业设备的电源模块，处理高电压和中等电流的开关需求，确保系统可靠运行。
3. **电动汽车 (EV)**:
- 应用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块，支持高电流操作，提升系统的可靠性和性能。
4. **功率转换器**:
- 作为功率转换器中的开关元件，提供高耐压和低功耗，提升转换效率。
这些应用场景展示了 B40NF10-VB 在高电压和高电流电源管理中的优势和重要性。
