公司动态详情返回动态列表>
BSC600N25NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC600N25NS3 G-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 DFN8 (5x6)，设计用于高电压应用。它具备 250V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 3.5V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻为 42mΩ，最大漏极电流为 35A。采用 Trench 技术制造，提供了高电压下的稳定性能和良好的开关特性。
### 参数说明
- **型号**: BSC600N25NS3 G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单通道 N 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 250V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 42mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 35A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSC600N25NS3 G-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在高电压电源模块中提供开关控制，处理高电压电流的应用。
- **逆变器**: 适用于光伏和风能逆变器中，作为高电压开关元件，支持高效能电能转换。
- **电力电子设备**: 在高电压电力转换设备中作为开关，确保系统稳定和高效。
- **工业控制**: 在高电压工业应用中用作开关元件，提供可靠的电流控制和负载管理。
