APT10M25BVR-VB一种TO247封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-27
### 产品简介
APT10M25BVR-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET，封装在 TO247 外壳中。该器件采用沟槽技术制造，设计用于处理高电压和高电流应用。其高电流承载能力和低导通电阻使其在要求高功率和高效能量管理的场合中表现优异。APT10M25BVR-VB 提供了卓越的开关性能和可靠性，适用于各种电源管理和负载开关任务。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO247
- **配置**：单通道（N沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- VGS = 10V: 18mΩ
- **漏极电流 (ID)**：72A
- **技术**：沟槽技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**：
- APT10M25BVR-VB 适用于开关电源、DC-DC 转换器和其他高电压电源管理应用。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够高效地处理大功率和高电压的电源，提升整体系统的效率和稳定性。
2. **电机驱动**：
- 在电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供强大的电流控制，适用于高功率电机驱动。其高电流承载能力和低 RDS(ON) 确保了电机驱动过程中的高效能量传输和稳定控制。
3. **负载开关**：
- APT10M25BVR-VB 可以用于高功率负载开关应用，能够可靠地控制大电流负载。其低导通电阻有助于减少开关过程中的功率损耗，从而提高系统的能效和可靠性。
4. **电池管理系统**：
- 在电池保护和充电管理系统中，该 MOSFET 可用于控制电池的充电和放电过程。其高电压和高电流承载能力能够有效地管理电池的工作状态，保护电池免受过流和过热的损害，确保电池系统的安全和高效运行。
APT10M25BVR-VB 的高电压和高电流能力，使其成为现代电子设备中处理高功率和高电流应用的理想选择，尤其是在电源管理、电机驱动和负载控制等领域。
