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B130NH02L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
**产品简介**
B130NH02L-VB是一款高电流、高性能的单N通道场效应晶体管（MOSFET），封装形式为TO-263，采用Trench工艺。其设计用于提供低导通电阻和高电流处理能力，适合用于高效电源管理和负载驱动应用。该器件具备优秀的开关性能，能够在30V的电压范围内稳定工作，并且适合在高电流条件下使用。
**详细参数说明**
- **型号**：B130NH02L-VB
- **封装**：TO-263
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**：30V
- **最大栅源电压 (V_GS)**：±20V
- **阈值电压 (V_th)**：1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**：
- 4.5V时：2.7mΩ
- 10V时：2.4mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**：98A
- **技术**：Trench工艺
**应用领域和模块**
1. **电源管理系统**：在高效DC-DC转换器和电源供应模块中，B130NH02L-VB因其低导通电阻和高电流处理能力，适用于优化电源效率和减少功耗损耗。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电池管理系统和电动机驱动中，该MOSFET能够处理高电流负载，确保系统的高效运作和可靠性。
3. **工业驱动**：在工业设备的电机驱动系统中，能够稳定控制高电流电机，提升系统的整体性能和能效。
4. **通信基础设施**：在通信设备的电源模块中，B130NH02L-VB作为开关元件能提高系统的稳定性和可靠性，尤其适用于高频和高功率应用场景。
