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BSS138N-T1-PF-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
BSS138N-T1-PF-VB是一款高电压单管N沟道MOSFET，封装形式为SOT23-3。该MOSFET支持60V的漏极-源极耐压和±20V的栅极-源极耐压，门槛电压为1.7V。采用Trench技术制造，适合用于各种开关应用，尽管导通电阻相对较高，但其高耐压特性使其在特定领域中表现优异。
### 参数说明
- **型号**: BSS138N-T1-PF-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单管N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V栅极驱动下: 3100mΩ
- 10V栅极驱动下: 2800mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BSS138N-T1-PF-VB适用于以下领域和模块：
1. **高电压开关**: 适用于需要承受高电压的开关应用，如高电压电源开关和电流控制。
2. **保护电路**: 在保护电路中用作高电压开关，提供电压保护和电流切换功能。
3. **电源管理**: 在电源管理系统中作为开关元件，尽管导通电阻较高，但其高耐压特性适合处理高电压应用。
4. **小功率电路**: 用于小功率电路中的高电压开关，特别是在需要高电压耐受的情况下，如电子设备的开关控制。
该MOSFET的高电压耐受能力和可靠性使其在高电压开关和保护电路中表现优异。
