AP2N7002K-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2024-12-12
### 一、AP2N7002K-VB产品简介
AP2N7002K-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SOT23-3封装，适用于低功率应用。它具有60V的漏极-源极电压（VDS），适合电路中需要控制低电压和低电流的场合。该器件采用先进的Trench技术，提供了较低的导通电阻和优异的开关特性。
### 二、AP2N7002K-VB详细参数说明
- **封装类型**：SOT23-3
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：20V（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：0.3A
- **技术类型**：Trench
### 三、适用领域和模块应用举例
AP2N7002K-VB由于其低功率和低压操作特性，适用于多个领域和模块，包括但不限于：
1. **小功率电子开关**：在便携式电子设备和低功耗电路中，AP2N7002K-VB可以用作开关和控制元件，例如手机、平板电脑和智能穿戴设备中的电源管理电路。
2. **电源管理模块**：在需要稳定电压转换和低功耗的应用中，如电池供电设备和便携式电子产品，AP2N7002K-VB能够提供高效的电力管理和延长电池寿命。
3. **信号开关**：在信号处理和数据传输设备中，AP2N7002K-VB可以用于控制和调节信号传输路径，确保数据的稳定性和可靠性。
4. **LED驱动器**：作为低功率LED灯的驱动器，AP2N7002K-VB能够控制LED的亮度和电流，适用于照明和显示应用。
通过以上应用案例，可以看出AP2N7002K-VB在低功率、低压操作和小型电子设备中的优越性能和广泛适用性，使其成为现代电子设计中不可或缺的部分。
