AP9980GH-VB一种TO252封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-25
### 1. 产品简介
AP9980GH-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，设计用于高电压和高性能的应用场合。其封装为TO252，结合了高耐压和低导通电阻的特性，适合于需要稳定电力控制和高效能转换的电子设备和工业应用。
### 2. 参数说明
- **型号**: AP9980GH-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单 N-沟道
- **耐压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 40A
- **技术**: Trench
### 3. 应用示例
AP9980GH-VB 在多个领域和模块中有广泛的应用，例如：
- **电动车充电桩**: 在电动车充电桩中，AP9980GH-VB 可作为功率开关器件，支持高电压和高效率的能量转换，确保充电桩的稳定性和充电速度。
- **工业电源**: 适用于工业电源系统中的开关电源和逆变器，能够提供可靠的电能转换和稳定的输出电压，用于各种工业设备的电源管理。
- **UPS系统**: 在UPS系统中，作为开关模块，帮助实现快速的电池切换和高效的电能存储，保障关键设备在停电情况下的持续运行。
- **太阳能逆变器**: 用于太阳能逆变器中的开关控制器，支持直流到交流的高效能转换，提高太阳能发电系统的整体效率和输出功率。
- **工业自动化**: 在工业控制系统中，AP9980GH-VB 可用作开关和电流调节器，实现精确的电力管理和设备自动化，提升生产线的稳定性和生产效率。
以上示例展示了 AP9980GH-VB 在不同领域和模块中的应用潜力，利用其高性能、高耐压和稳定性为各种电子设备和工业应用提供可靠的解决方案。
