AP25N10GJ-HF-VB一种TO251封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-12
### AP25N10GJ-HF-VB 产品简介
AP25N10GJ-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术（Trench Technology）。它能够在最高100V的电压下工作，具有最大漏极电流达到35A。该器件封装在TO251中，提供了良好的热管理和电气性能，适合中功率应用场景。
### AP25N10GJ-HF-VB 详细参数说明
- **型号**: AP25N10GJ-HF-VB
- **封装类型**: TO251
- **极性**: 单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**: 100V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 36mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 35A
- **技术**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
### 应用领域和模块举例
AP25N10GJ-HF-VB 适用于多种中功率应用场景，以下是一些典型的应用领域和模块：
1. **电源管理**:
- 在DC-DC转换器和电源逆变器中作为开关元件，用于高效能的电压转换和功率管理。
- 用于电动车辆充电桩中的电源管理模块，确保安全和高效的充电过程。
2. **电动工具**:
- 在电动工具中作为电机控制单元，提供高功率密度和长期可靠性的动力输出。
- 适用于家用电动工具和工业级电动工具中的电源管理和驱动模块。
3. **工业自动化**:
- 在工业控制设备中的电源管理和电机驱动模块，提供高效的电力传输和稳定的电流控制。
- 用于工业机器人和自动化装配线中的电动执行机构控制，提升生产效率和精度。
4. **电动汽车**:
- 在电动汽车中的电池管理系统和电动驱动系统中广泛应用，确保高效能和长期可靠性的驱动力量。
AP25N10GJ-HF-VB 凭借其高电压能力、低导通电阻和稳定的热性能，是中功率电子设备设计中的理想选择，能够满足各种工业和消费电子设备的高效能和高可靠性需求。
