BUK6207-55C-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
BUK6207-55C-VB 是一款高电流、高效率的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。此器件采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和高电流承载能力，非常适合用于高功率、高效率的开关应用。由于其卓越的性能，BUK6207-55C-VB 特别适合在需要高电流和低功耗的场景中使用。
### 详细参数说明
- **型号**: BUK6207-55C-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 97A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **高效电源转换**：由于其超低的导通电阻和高电流能力，BUK6207-55C-VB 非常适合用于开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，能够显著提高转换效率并降低功耗。
2. **电机驱动系统**：该 MOSFET 的高电流处理能力使其非常适合用于电机驱动模块，例如工业机器人和电动工具，以提供稳定的电流控制和高效能。
3. **电池管理系统**：在电池管理系统中，BUK6207-55C-VB 能够优化电池充放电过程，其低导通电阻有助于提高整体系统的能效和可靠性，特别适合用于电动汽车和储能系统。
4. **光伏逆变器**：该器件的高电流能力和低导通电阻使其适合用于光伏逆变器的开关部分，能够有效提升光伏系统的能效和稳定性。
5. **高频开关应用**：BUK6207-55C-VB 适合应用于需要高开关频率和高电流的场合，如通信设备和消费电子产品，其优越的开关性能可以有效减少功耗并提升设备性能。
