AM7434N-T1-PF-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2024-11-29
### 产品简介
AM7434N-T1-PF-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有极低的导通电阻和高电流承载能力。该器件封装在DFN8(5X6)封装中，适合对空间有一定要求的应用场合。AM7434N-T1-PF-VB具有30V的漏极-源极电压（VDS）额定值和±20V的栅极-源极电压（VGS），能够在不同电压条件下稳定工作。
### 详细参数说明
- **型号**: AM7434N-T1-PF-VB
- **封装类型**: DFN8(5X6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术类型**: 沟槽
### 应用领域和模块举例
AM7434N-T1-PF-VB MOSFET适用于多种高功率和高性能的电子应用，具体包括但不限于：
1. **电源管理模块**：在高功率DC-DC转换器、电源逆变器和功率放大器中，AM7434N-T1-PF-VB可提供低损耗的高效能能量转换和稳定的电源管理。
2. **电动工具和工业驱动器**：用于电动工具（如电动锤、钻机）、工业机械设备和自动化系统中的高功率电机驱动和负载开关控制。
3. **电动车辆**：在电动汽车和电动自行车的动力系统中，AM7434N-T1-PF-VB可用于电池管理系统、电动机控制和电源逆变等高电流高压的关键部件。
4. **消费电子产品**：在高性能计算机、服务器、通信设备和消费电子产品（如游戏机、高性能台式电脑）的电源管理和功率分配电路中，提供稳定和高效的电力控制。
通过以上举例，可以看出AM7434N-T1-PF-VB MOSFET因其极低的导通电阻、高电流承载能力和先进的沟槽技术，适用于多种对功率密度和效率要求高的电子设备和系统中，为设计工程师提供了重要的解决方案。
